专利

专利名称：MOSFET结构及其制作方法
专利号：201010242722.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010239273.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-27
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010239275.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-27
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010240547
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-30
专利名称：MOS晶体管及其形成方法
专利号：201010233576.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-16
专利名称：p型半导体器件及其制造方法
专利号：201010233549.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-16
专利名称：一种用于CMOS器件的双金属栅双高K介质的集成方法
专利号：201010199981.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-08
专利名称：先栅工艺中一种叠层金属栅结构的制备方法
专利号：201010199969.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-08
专利名称：一种适用于NMOS器件金属栅功函数的调节方法
专利号：201010183450
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-19
专利名称：一种金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法
专利号：201010145261.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-09
专利名称：一种隧穿晶体管结构及其制造方法
专利号：201010233546.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-16
专利名称：积累型CMOS器件的制造方法及其结构
专利号：201010232797.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-15
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010232060.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-14
专利名称：3D集成电路结构以及检测芯片结构是否对齐的方法
专利号：201010229286.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-09
专利名称：低功耗半导体存储器及其制作方法、驱动方法
专利号：201010233925.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-19
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