专利
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201010227268
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-07
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201010227271.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-07
专利名称：使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法
专利号：201010227256.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-07
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010223866
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-01
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010223858.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-01
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010223870.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-01
专利名称：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
专利号：201010223894.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-01
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010223868.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-01
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010215093.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010215163.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010215165.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010215125.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：一种半导体结构及其制备方法
专利号：201010215167.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201010215124.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010223481.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-30