专利

专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010223470.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-30
专利名称：半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件
专利号：201010215145.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：一种接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件
专利号：201010215164.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：半导体器件结构及其制造方法
专利号：201010230771.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-13
专利名称：层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法
专利号：201010215116.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010191971
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-26
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010189992.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-25
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201010185012.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-20
专利名称：一种半导体结型二极管器件及其制造方法
专利号：201010183446.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-19
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010185025.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-20
专利名称：减少LER的方法以及实施该方法的装置
专利号：201010181618.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-19
专利名称：MOSFET结构及其制作方法
专利号：201010181616.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-19
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201010181638.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-19
专利名称：一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法
专利号：201010175815.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-14
专利名称：一种闪存器件及其制造方法
专利号：201010171371.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-05-07
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