专利
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010162118.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-28
专利名称：一种闪存器件及其制造方法
专利号：201010162280.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-28
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010159892.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-27
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201010159895.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-27
专利名称：半导体器件的结构及其形成方法
专利号：201010156572
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-21
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010157574.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-21
专利名称：一种源漏区、接触孔及其形成方法
专利号：201010156570.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-21
专利名称：一种FinFET器件及其制造方法
专利号：201010150059
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-15
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010147601.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-14
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201010145090.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-09
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010145265.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-09
专利名称：包含鳍片的半导体结构及其制造方法
专利号：201010145100.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-09
专利名称：一种高速晶体管结构及其制作方法
专利号：201010142039.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-07
专利名称：一种半导体器件的制作方法
专利号：201010142041.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-07
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201010142037.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-07