专利

专利名称：一种半导体器件、半导体器件的隔离结构及其制造方法
专利号：201010142040.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-07
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201010129453.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-03-17
专利名称：形成沟道材料的方法
专利号：201010118194.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-03-03
专利名称：鳍式晶体管结构及其制作方法
专利号：201010112521.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-02-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201010111076.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-02-11
专利名称：一种高性能半导体器件及其制造方法
专利号：201010111086.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-02-11
专利名称：非对称半导体的结构及其形成方法
专利号：201010111063.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-02-11
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201010111079.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-02-11
专利名称：电容器结构及其制造方法
专利号：201010111332.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-02-10
专利名称：一种体接触器件结构及其制造方法
专利号：201010110029.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-02-09
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201010104991.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-02-02
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201010034166.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-01-13
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201010033874.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-01-11
专利名称：3D集成电路结构、半导体器件及其形成方法
专利号：200910242101.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-04
专利名称：具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及制造方法
专利号：200910244632.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-31
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