专利
专利名称：MOSFET结构及其制作方法
专利号：200910244516.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：200910244514
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-30
专利名称：鳍式晶体管结构及其制作方法
专利号：200910244515.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-30
专利名称：减小半导体器件中LER的方法及半导体器件
专利号：200910244517.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-30
专利名称：调整半导体器件阈值电压的方法
专利号：200910244135.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：200910244134.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-29
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：200910244133.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-29
专利名称：具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法
专利号：200910244132.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-29
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：200910243970.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-28
专利名称：形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法
专利号：200910243852.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-23
专利名称：鳍式晶体管结构及其制造方法
专利号：200910242768.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-16
专利名称：半导体材料鳍片
专利号：200910242769.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-16
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：200910242509.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-15
专利名称：高性能半导体器件及其形成方法
专利号：200910242097.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-04
专利名称：高性能半导体器件及其形成方法
专利号：200910242098
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-04