专利
专利名称：半导体器件及其形成方法、封装结构
专利号：201110112565.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-30
专利名称：半导体器件及其编程方法
专利号：201110112295.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-29
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110068176.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-22
专利名称：穿硅通孔结构及其形成方法
专利号：201110059582.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-11
专利名称：一种半导体器件结构及其制造方法
专利号：201010589244.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-08
专利名称：一种半导体工艺的测试结构及其制造方法
专利号：201010533439.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-02
专利名称：一种高介电常数栅介质结构及其形成方法
专利号：201010520981.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-21
专利名称：一种半导体器件及制备方法
专利号：201010250698.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-11
专利名称：一种半导体器件结构及形成方法
专利号：201010250728.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-11
专利名称：一种石墨烯器件及其制造方法
专利号：201010250696.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-11
专利名称：一种用于后栅工艺的平坦化方法及其器件结构
专利号：201010274285.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-06
专利名称：应变半导体沟道形成方法和半导体器件
专利号：201010501737.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-30
专利名称：后栅工艺中金属栅的制作方法
专利号：201010500383.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-29
专利名称：一种改善硅衬底的方法及得到的硅衬底
专利号：201010502043.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-30
专利名称：混合沟道半导体器件及其形成方法
专利号：201010273120
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-03