专利
专利名称：应变半导体沟道形成方法和半导体器件
专利号：201010244987.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-04
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201010240551.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-30
专利名称：一种半界面优化的锗基半导体器件及其制造方法
专利号：201010232705.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-16
专利名称：一种基于栅极替代工艺的半导体器件及其制造方法
专利号：201010231034.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-14
专利名称：一种半导体器件结构及其制造方法
专利号：201010220687.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-28
专利名称：一种半导体器件的制造方法及其结构
专利号：201010220686.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-28
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201010215854.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201010215848.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：一种半导体器件的形成方法及其半导体器件
专利号：201010215850.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-22
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201010118294.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-03-04
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201010147605.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-14
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201010153756.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-20
专利名称：一种半导体器件结构及其制造方法
专利号：201010145587.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-09
专利名称：栅极堆叠的制造方法和半导体器件
专利号：201010197080.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-03
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201010145088.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-09