专利

专利名称：一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法
专利号：201010142125.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-07
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201010127009
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-03-16
专利名称：一种MOS场效应晶体管
专利号：201010102696
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-01-28
专利名称：晶体管及其制造方法
专利号：200910249095.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-31
专利名称：高性能半导体器件的形成方法
专利号：200910243851.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-23
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：200910243804.3
专利权人：燕东微电子
时间：2009-12-21
专利名称：高性能半导体器件的形成方法
专利号：200910235780.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-10-15
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：200910244131.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：200910244130.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-29
专利名称：一种半导体器件
专利号：200910242800.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-21
专利名称：一种利用带电导电层控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法
专利号：200910242760.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-16
专利名称：CMOS器件叠层栅形成方法及其结构
专利号：200910237800.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-19
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：200910237546.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-11
专利名称：一种制造半导体器件的方法
专利号：200910237545.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-11
专利名称：一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法
专利号：200910235466.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-10-14
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