专利
专利名称：控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法
专利号：200910089597
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-07-22
专利名称：用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法
专利号：200910303980.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-07-03
专利名称：控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法
专利号：200910087807.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-06-26
专利名称：调节高k栅介质/金属栅结构pMOSFET器件阈值电压的方法
专利号：200910087346.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-06-17
专利名称：CMOS器件金属栅极及其形成方法
专利号：200910078421.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-20
专利名称：抑止高k栅介质/金属栅结构在高温退火下界面层生长的方法
专利号：200910077522
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-01-21
专利名称：多层半导体衬底的制备方法
专利号：PCT/CN2012/073866
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2012-04-12
专利名称：采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法
专利号：PCT/CN2010/080599
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：一种形成具有边缘倒角的带有绝缘埋层的衬底的方法
专利号：PCT/CN2010/075098
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-10
专利名称：衬底的表面处理方法和带有绝缘埋层衬底的制作方法
专利号：201210233289.2
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2012-07-06
专利名称：带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法
专利号：201210240144.5
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2012-07-12
专利名称：带有绝缘埋层衬底的制备方法
专利号：201210233324.0
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2012-07-06
专利名称：带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法
专利号：201210233332.5
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2012-07-06
专利名称：带有绝缘埋层的衬底的表面处理方法
专利号：201210233323.6
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2012-07-06
专利名称：带有绝缘埋层的辐射加固材料及其制备方法
专利号：201110454442.X
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-12-30
