专利

专利名称：具有悬浮膜结构的应变锗器件及其制备方法
专利号：201110454344.6
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：具有悬臂梁结构的应变锗器件及其制备方法
专利号：201110454360.5
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：三维封装方法以及封装体
专利号：201110449518.X
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-12-29
专利名称：三维封装方法
专利号：201110449519.4
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-12-29
专利名称：半导体衬底的自热测量装置及其测试方法
专利号：201110446116.4
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-28
专利名称：具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法
专利号：201110343183.3
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-11-03
专利名称：锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法
专利号：201110004002.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-01-10
专利名称：锗悬臂梁式二维光子晶体微腔及制备方法
专利号：201110003997.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-01-10
专利名称：半导体装置及制备方法
专利号：201110293178.6
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-30
专利名称：多层半导体衬底的制备方法
专利号：201110238030.2
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-08-19
专利名称：采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法
专利号：201110183217.7
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-30
专利名称：制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底
专利号：201110183212.4
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-30
专利名称：一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法
专利号：201110151803.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-06-08
专利名称：三维封装方法
专利号：201110123908.8
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-05-13
专利名称：一种晶向旋转键合晶片的制备方法
专利号：201110047282.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2011-02-28
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