专利
专利名称：采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法
专利号：201010608050.X
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-12-27
专利名称：采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法
专利号：201010608061.8
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-12-27
专利名称：采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法
专利号：201010607936.2
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-27
专利名称：可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构
专利号：201010231661.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-07-20
专利名称：一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法
专利号：201010223124.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-07-09
专利名称：利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法
专利号：201010223135.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-07-09
专利名称：一种制备悬空应变材料的方法
专利号：201010223192.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-07-09
专利名称：绝缘埋层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法
专利号：201010211441.8
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-06-25
专利名称：一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法
专利号：200910200127.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-12-08
专利名称：一种混晶材料的制备方法及用这种材料制备的半导体器件
专利号：200910198914.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-11-17
专利名称：一种SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的制备方法
专利号：200910054731.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-07-14
专利名称：采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法
专利号：200910199624.X
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-11-27
专利名称：一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法
专利号：200910200722.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-12-24
专利名称：一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料的制备方法
专利号：201010211448.X
专利权人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：一种新型绝缘体上应变硅制备技术
专利号：201010223281.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-07-09
