专利

专利名称：一种三维光子晶体结构制备方法
专利号：200910200125.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-12-08
专利名称：一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法
专利号：200910200718.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-12-24
专利名称：一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构
专利号：200910200719.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-12-24
专利名称：一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件
专利号：200910200721.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-12-24
专利名称：混合晶向应变硅衬底及其制备方法
专利号：200910197074.8
专利权人：上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-10-13
专利名称：一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法
专利号：201010211396.6
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-06-25
专利名称：一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法
专利号：200910199623.5
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2010-11-27
专利名称：一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法
专利号：200910200126.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-12-08
专利名称：三维封装方法
专利号：201010211699.8
专利权人：上海新傲科技股份有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
时间：2010-06-18
专利名称：四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法
专利号：200910053502.X
专利权人：上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-06-09
专利名称：采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法
专利号：200910055733.4
专利权人：上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-07-31
专利名称：腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法
专利号：200910054627.4
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2009-07-10
专利名称：制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法
专利号：200910053503.4
专利权人：上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-06-19
专利名称：一种制备混合晶向半导体衬底的方法
专利号：200910053504.9
专利权人：海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-06-19
专利名称：制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法
专利号：200810202084.1
专利权人：上海新傲科技股份有限公司
时间：2008-10-31
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