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专利
专利名称:
绝缘体上硅衬底制备方法
专利号:
200810201039.4
专利权人:上海新傲科技股份有限公司
时间:2008-10-10
专利名称:
实现等离子体刻蚀腔体弹性接触的连接器件
专利号:
201210017825.5
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2012-01-20
专利名称:
实现等离子体刻蚀腔体弹性接触的连接器件
专利号:
101110043
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2012-03-23
专利名称:
一种电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理方法
专利号:
100146054
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-12-13
专利名称:
一种自动实现射频功率匹配的方法和系统
专利号:
100149962
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-12-30
专利名称:
一种反应腔漏气检测方法及真空反应器控制方法
专利号:
100100570
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-01-07
专利名称:
一种用于真空处理系统的安装装置
专利号:
99147277
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2010-12-31
专利名称:
一种易于释放晶片的静电吸盘结构及方法
专利号:
100128003
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-08-05
专利名称:
一种用于处理SOI结构的真空处理系统
专利号:
99225758
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2010-12-31
专利名称:
一种探测晶片偏移位置的方法
专利号:
100128006
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-08-05
专利名称:
RF Autotuning
专利号:
13/337246
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-12-26
专利名称:
用于等离子体处理的电极组件、内部组件及其制造和分离方法
专利号:
200910053899.2
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2009-06-26
专利名称:
快速控制静电吸盘温度的装置及方法
专利号:
201110369759.3
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-11-18
专利名称:
一种自动实现射频功率匹配的方法和系统
专利号:
201110362541.5
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-11-16
专利名称:
一种电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理方法
专利号:
201110269393.2
专利权人:中微半导体设备(上海)有限公司
时间:2011-09-13
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