专利

专利名称：具备可切换偏置频率的等离子体处理腔及可切换匹配网络
专利号：10-2010-0074936
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-08-03
专利名称：一种适用于匹配多频率的单一匹配网络、其构建方法以及使用该匹配网络的射频功率源系统
专利号：10-2011-0089872
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-09-05
专利名称：一种边缘设有直流电极的静电吸盘
专利号：101205293
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：温度可分区调控的静电吸盘
专利号：101205283
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：一种有机物层刻蚀方法
专利号：101110048
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：一种有机物层刻蚀方法
专利号：101110047
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：一种用于等离子体处理装置的载片盘
专利号：101104330
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-02-10
专利名称：一种用于等离子体处理装置的载片盘
专利号：101104329
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-02-10
专利名称：一种用于等离子体处理装置的载片盘
专利号：101104328
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-02-10
专利名称：一种用于等离子体处理装置的载片盘
专利号：101104327
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-02-10
专利名称：一种调节等离子体处理腔电场分布的供电系统
专利号：101110033
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：一种射频匹配网络及其所应用的等离子体处理腔
专利号：101110032
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：种深孔硅刻蚀方法
专利号：100123370
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-07-01
专利名称：一種深矽通孔的刻蝕方法
专利号：98142480
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-12-11
专利名称：改进等离子均匀性和效率的电感耦合等离子装置
专利号：100149971
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-30
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