专利
专利名称：实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件
专利号：100145531
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-09
专利名称：用于等离子体发生器的可控制谐波的射频系统
专利号：100143520
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-28
专利名称：一种可调多区气体分布装置
专利号：100220558
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-01
专利名称：一种用于静电吸盘的多通道射频滤波器
专利号：100139750
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-01
专利名称：电感耦合型等离子体处理装置
专利号：100141807
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-16
专利名称：一种适用于匹配多频率的单一匹配网络、其构建方法以及使用该匹配网络的射频功率源系统
专利号：100140443
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-04
专利名称：一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法
专利号：99147282
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：一种等离子体处理装置
专利号：100214581
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-08-05
专利名称：射频功率源系统及使用该射频功率源系统的等离子体反应腔室
专利号：99126409
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-08-09
专利名称：可切换的射频功率源系统
专利号：99110380
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-04-02
专利名称：具备可切换偏置频率的等离子体处理腔及可切换匹配网络
专利号：98127637
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-08-17
专利名称：ICP Design for Plasma Uniformity and Efficiency Enhancement
专利号：13/337248
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-26
专利名称：SINGLE MATCHING NETWORK FOR MATCHING MULTI-FREQUENCY AND METHOD OF CONSTRUCTURING THE SAME AND RADIO FREQUENCY POWER AOURCE SYSTEM USING THE SAME
专利号：13/239316
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-09-21
专利名称：A PLASMA CHAMBER HAVING SWITCHABLE BIAS POWER AND A SWITCHABLE FREQUENCY RF MATCH NETWORK THEREFOR
专利号：12/851381
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-08-05
专利名称：改进等离子均匀性和效率的电感耦合等离子装置(分案)
专利号：201110319252.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-10-19
