专利
专利名称：深反应离子刻蚀方法及其气体流量控制装置
专利号：200910055105.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-07-21
专利名称：一种用于刻蚀硅的反应离子刻蚀方法
专利号：200910053598.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-06-23
专利名称：一种用于等离子体处理装置的聚焦环
专利号：201220027711.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-01-20
专利名称：一种用于电感耦合等离子处理装置的连接卡口
专利号：201220115766.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：一种用于电感耦合式等离子体刻蚀室的气体传送装置
专利号：201220133699.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-31
专利名称：一种电感耦合式等离子体刻蚀室
专利号：201220113678.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：通孔侧壁形貌修饰方法
专利号：201210077037.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-03-21
专利名称：一种用于静电吸盘的多频率射频滤波器
专利号：201110448621.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-28
专利名称：一种用于等离子体处理装置的载片台
专利号：201110456419.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：一种用于等离子体处理装置的可调节约束装置
专利号：201110457216.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：一种用于等离子体处理装置的静电夹盘
专利号：201120569756.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：一种减少晶片背面生成聚合物的聚焦环
专利号：201110448622.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-28
专利名称：一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法
专利号：201110449965.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-28
专利名称：一种应用于等离子处理装置的气体分布系统及验证方法
专利号：201110431014.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-20
专利名称：一种用于等离子体处理装置的可调节约束环
专利号：201110437212.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-20