专利

专利名称：一种用于等离子反应室的层叠型组件及其制造方法
专利号：201110431488.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-20
专利名称：一种用于等离子反应室的层叠型组件及其制造方法
专利号：201110431022.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-20
专利名称：一种可监测刻蚀过程的等离子体处理装置
专利号：201110449964.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-28
专利名称：一种等离子处理装置及应用于等离子处理装置的边缘环
专利号：201110407353.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-08
专利名称：一种等离子体刻蚀室
专利号：201110424785.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-16
专利名称：一种温度可调的等离子体约束装置
专利号：201110422141.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-16
专利名称：一种石英气体喷淋头
专利号：201120510365.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-08
专利名称：一种清洁晶片背面聚合物的装置和方法
专利号：201110407358.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-08
专利名称：等离子体处理装置及聚焦环组件
专利号：201110446796.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-27
专利名称：具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法
专利号：201110453582.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-29
专利名称：具有氧化钇包覆层的工件的污染物的处理方法
专利号：201110454240.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-29
专利名称：喷淋头
专利号：201110453585.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-29
专利名称：等离子体约束装置
专利号：201120470227.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法
专利号：201110391678.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-30
专利名称：一种控制所负载基板温度的静电卡盘及等离子体处理装置
专利号：201110420563.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-15
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