专利
专利名称：使用含碳氟化合物的聚合物使硅片顶角圆化的方法
专利号：201010616194.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-12-31
专利名称：一种能均匀抽气的处理装置
专利号：201120346714.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-11-25
专利名称：一种铜制程等离子刻蚀方法
专利号：201010280097.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-09-14
专利名称：一种深孔硅刻蚀方法
专利号：201010280087.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-09-14
专利名称：一种易于释放晶片的静电吸盘结构及方法
专利号：201010222235.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-07-08
专利名称：一种能够消减应力的结构
专利号：201020232668.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-06-22
专利名称：一种用于真空处理系统的安装装置
专利号：201010193609.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-06-04
专利名称：一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法
专利号：201010110102.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-11
专利名称：一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法
专利号：201010110100.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-11
专利名称：一种含碳层的等离子刻蚀方法
专利号：201010110096.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-11
专利名称：一种含碳层的等离子刻蚀方法
专利号：201010110098.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-11
专利名称：一种工艺件的去夹持装置和方法
专利号：201010108003.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-09
专利名称：一种等离子体处理装置及其处理方法
专利号：201010106570.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-05
专利名称：一种等离子体处理装置
专利号：201020138135.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-03-12
专利名称：反应腔部件及应用该反应腔部件的等离子体处理装置
专利号：201020151272.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-04-02