专利
专利名称：一种可减少晶片背面聚合物的结构
专利号：200910056087.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-08-07
专利名称：等离子体处理装置
专利号：200920077812.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-07-03
专利名称：一种用于减少晶片背面聚合物的装置
专利号：200910056086.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-08-07
专利名称：等离子体处理装置
专利号：200920077813.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-07-03
专利名称：用于等离子体处理室的内部组件及气体喷头组件
专利号：200920076954.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-06-26
专利名称：等离子体约束装置及利用该等离子体约束装置的等离子体处理装置
专利号：200920071398.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-04-30
专利名称：感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
专利号：200910049960.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-04-24
专利名称：静电夹盘装置、等离子处理装置和制造静电夹盘装置的方法
专利号：200910049953.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-04-24
专利名称：硅通孔背面露头的方法和装置
专利号：201380075888.9
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-22
专利名称：METHOD AND APPARATUS FOR THROUGH-SILICON VIAS REVEAL
专利号：11201508467S
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-22
专利名称：METHOD AND APPARATUS FOR THROUGH-SILICON VIAS REVEAL
专利号：10-2015-7033127
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-22
专利名称：METHOD AND APPARATUS FOR THROUGH-SILICON VIAS REVEAL
专利号：PCT/CN2013/074524
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-22
专利名称：硅通孔背面露头的方法和装置
专利号：103136671
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-10-23
专利名称：半导体刻蚀装置
专利号：201510081763.8
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2015-02-15
专利名称：半导体设备中的基板传送舱
专利号：201510081220.6
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2015-02-15
