专利

专利名称：盖板载片盒装置
专利号：201410184975.4
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-05-04
专利名称：对准标记的形成方法
专利号：201410184978.8
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-05-04
专利名称：纯二氧化硅侧壁的腔体结构、复合腔体及其形成方法
专利号：201410172285.7
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-04-25
专利名称：复合腔体及其形成方法
专利号：201410172235.9
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-04-25
专利名称：低应力原位掺杂的多晶硅薄膜的制造方法
专利号：201410095540.2
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-03-14
专利名称：MEMS传感器的加工方法
专利号：201410085898.7
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-03-10
专利名称：防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构
专利号：201410078634.9
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-03-05
专利名称：MEMS封闭腔体的制作方法
专利号：201310380237.2
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2013-08-27
专利名称：一种超高压BCD半导体工艺以及超高压BCD器件
专利号：201210150791.7
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2012-05-15
专利名称：一种LDMOS器件及其制造方法
专利号：201210138032.9
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2012-05-04
专利名称：一种JFET器件及其形成方法
专利号：201210138212.7
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2012-05-04
专利名称：高密度等离子机台的预沉积方法
专利号：201210081665.0
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2012-03-23
专利名称：铂金属硅化物的形成方法
专利号：201210073174.1
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2012-03-19
专利名称：60V高压BCD工艺中齐纳二极管结构及其制造方法
专利号：201210041085.9
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2012-02-22
专利名称：嵌入BCD工艺的EEPROM核结构及其形成方法
专利号：PCT/CN2012/070571
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2012-01-19
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