专利
专利名称：MEMORY AND METHOD OF OPERATING THE SAME
专利号：13/680,547
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-27
专利名称：FLASH MEMORY
专利号：13/601,858
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-26
专利名称：WORD-LINE VOLTAGE REGULATING CIRCUIT AND SINGLE POWER SUPPLY MEMORY
专利号：13/541,600
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-25
专利名称：A dynamic method to control FGSN ET Process For Floating Gate Forming In Self-aligned Flash memory
专利号：201310315027.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-24
专利名称：One Method To Form A Stable GSTI ET Process To Avoid Punch Through Program Disturb In Self-aligned Flash Memory
专利号：201310315247.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-24
专利名称：Use two signal pads to test embedded flash product
专利号：201310261431.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-06-26
专利名称：A Method to Improve Top Source Coupling Process
in Split Gate Flash(一种改进用于分离栅闪存的顶部源线耦合工艺的方法
专利号：201210507672.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-30
专利名称：a method to improve coupling ratio
专利号：201210577035.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-26
专利名称：a new method to form-non-salicide resistor-peri WL
专利号：201210556675.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-20
专利名称：A new method to form high non-salicide poly resistor-WL poly1
专利号：201210564205.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-21
专利名称：A new method to increase FGSP1 bottom THK to relax STI CMP window
专利号：201210507628.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-30
专利名称：a new method to form different capacitance PIP PPS w/o extra process cost
专利号：201210507162.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-30
专利名称：a new method to form high resistance non-salicide poly resistor (source poly)
专利号：201210507576.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-30
专利名称：A program method for split gate cell
专利号：201210352887.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-19
专利名称：Flash Memory Array
专利号：201210473174.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-20
