专利
专利名称：RFLDMOS器件的制造方法
专利号：201410663520.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-11-19
专利名称：RFLDMOS器件及其制造方法
专利号：201410581747.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-10-27
专利名称：N型LDMOS器件及工艺方法
专利号：201510080729.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2015-02-15
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201510080701.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2015-02-15
专利名称：射频LDMOS及其制作方法
专利号：201410632526.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-11-11
专利名称：射频横向双扩散场效应晶体管及其制作方法
专利号：201410468749.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-09-15
专利名称：射频横向双扩散场效应晶体管及其制作方法
专利号：201410468153.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-09-15
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201410315116.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-07-03
专利名称：LDMOS器件及其制造方法
专利号：201410262236.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-06-13
专利名称：射频LDMOS器件及制造方法
专利号：201310659228.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-09
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201310655616.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-06
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201310670544.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-10
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201310705324.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-19
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201310655618.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-06
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201310726979.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-25