专利
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201310682059.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-12
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201310726987.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-12-25
专利名称：LDMOS器件及制造方法
专利号：201310589117.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-11-20
专利名称：LDMOS器件及制造方法
专利号：201310574832.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-11-18
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201310564195.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-11-14
专利名称：射频LDMOS器件及工艺方法
专利号：201310559718.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-11-12
专利名称：太鼓减薄工艺的去环方法
专利号：201410363960.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-07-29
专利名称：射频横向扩散晶体管无缺陷深场氧隔离的成长方法
专利号：201310354097.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-08-14
专利名称：射频LDMOS器件及制造方法
专利号：201310330337.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-31
专利名称：射频LDMOS器件的制造方法
专利号：201310365031.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-08-20
专利名称：射频LDMOS器件的边缘隔离结构及制造方法
专利号：201310187583.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-05-20
专利名称：半导体器件结构及其制作方法
专利号：201310250629.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-06-21
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201310244707.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-06-19
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201310227240.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-06-07
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201310211950.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-05-31