专利
专利名称：半导体器件及其制造工艺方法
专利号：201310193435.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-05-22
专利名称：射频N型LDMOS器件及其制造方法
专利号：201310067290.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-03-04
专利名称：一种射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201310003606.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-01-06
专利名称：形成埋入式沟槽的工艺方法
专利号：201210567513.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-24
专利名称：P型LDMOS器件的沟槽及工艺方法
专利号：201210553008.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-18
专利名称：沟槽型功率MOSFET器件
专利号：201210553019.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-18
专利名称：P型LDMOS器件的沟槽及制作方法
专利号：201210544308.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-14
专利名称：N沟道射频LDMOS器件及制造方法
专利号：201210536911.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-12
专利名称：高压LDMOS器件的等效电路及仿真方法
专利号：201210536915.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-12
专利名称：射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
专利号：201210529898.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-11
专利名称：射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
专利号：201210529922.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-11
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201210521428.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-07
专利名称：金属互联工艺方法
专利号：201210525188.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-07
专利名称：一种射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201210513673.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-04
专利名称：应用于射频领域的LDMOS器件及其制造方法
专利号：201210512690.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-04