专利
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201210512717.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-04
专利名称：射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
专利号：201210509266.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-03
专利名称：低深度连接沟槽及制造方法
专利号：201210488481.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-26
专利名称：降低LDMOS器件峰值电场的版图结构及方法
专利号：201210460902.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-15
专利名称：带面结型场效应管的LDMOS复合管
专利号：201210454051.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-13
专利名称：RFLDMOS 器件及其制造方法
专利号：201210445971.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-09
专利名称：一种改善硅片翘曲度的沟槽制造方法
专利号：201210442284.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-07
专利名称：射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
专利号：201210432273.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-02
专利名称：一种LDMOS的制备工艺方法
专利号：201210417414.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-26
专利名称：具射频LDMOS器件及制造方法
专利号：201210410422.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-24
专利名称：射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
专利号：201210403275.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-22
专利名称：面结型场效应晶体管及其制造方法
专利号：201210390555.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-15
专利名称： PLDMOS 中改善漏电的新工艺方法
专利号：201210380594.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-09
专利名称：一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法
专利号：201210378133.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-29
专利名称：同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法
专利号：201210367905.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-28