专利

专利名称：静电放电自保护电路
专利号：201210359419.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-24
专利名称：NLDMOS器件及制造方法
专利号：201210332454.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-10
专利名称：NLDMOS器件及制造方法
专利号：201210325764.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-05
专利名称：深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法
专利号：201210319871.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-31
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201210315670.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-30
专利名称：沟槽型双层栅MOS的多晶硅间的热氧介质层的形成方法
专利号：201210310839.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-24
专利名称：P型LDMOS表面沟道器件提高面内均匀性的制造方法
专利号：201210305990.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-24
专利名称：LDMOS器件及其制造方法
专利号：201210297088.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-20
专利名称：LDMOS器件及其制造方法
专利号：201210297126.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-20
专利名称：RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构及制作方法
专利号：201210297005.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-20
专利名称：功率MOSFET芯片保护结构制造方法
专利号：201210296876.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-20
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201210295845.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-17
专利名称：半导体器件的保护环
专利号：201210293405.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-17
专利名称：改善沟槽侧壁“扇贝”形貌的干法刻蚀工艺方法
专利号：201210346926.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-17
专利名称：RF LDMOS器件及制造方法
专利号：201210287206.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-13
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