专利
专利名称：基于反相器实现的全数字模块Sigma-Delta调制器
专利号：201510239808.X
专利名称：极低电压连续时间自调零纳瓦功耗跨导放大器
专利号：201510432467.8
专利名称：具有SiGe沟道的 MOSFET及其形成方 法
专利号：2014101866 86.8
专利名称：具有SiGe源漏的 MOSFET及其形成方 法
专利号：2014101871 23.0
专利名称：半导体栅堆叠结构及 其形成方法
专利号：2014101257 29.1
专利名称：具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方 法
专利号：2014100645 68.X
专利名称：具有SiGeSn源漏的鳍 式场效应晶体管及其 形成方法
专利号：2014100632 93.8
专利名称：具有SiGeSn沟道的鳍 式场效应晶体管及其 形成方法
专利号：2014100631 81.2
专利名称：选区SiGeSn层及其形 成方法
专利号：2014100645 27.0
专利名称：SiGeSn层及其形成方 法
专利号：2014100645 56.7
专利名称：METHOD FOR FORMING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR
专利号：14/350,677
专利名称：METHOD FOR FORMING GERMANIUM-BASED LAYER
专利号：14/350,715
专利名称：具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方 法
专利号：201410063192.0
专利名称：反相器
专利号：2014100497 19.4
专利名称：基于纳米MOS器件的 低电压低功耗放大器
专利号：2013107191 75.3
