专利
专利名称：一种半导体栅结构及 其形成方法
专利号：20131011166 2.1
专利名称：一种半导体栅结构及 其形成方法
专利号：20131011160 7.2
专利名称：应变GeOI结构及其形 成方法
专利号：20111005812 7.5
专利名称：应变Ge沟道器件及其 形成方法
专利号：20111005812 8.X
专利名称：应变GeOI结构及其形 成方法
专利号：20111005837 0.7
专利名称：GeOI结构及其形成方 法
专利号：20111002561 8.X
专利名称：忆阻器件及其制备方法
专利号：201210587167
专利名称：一种基于氧化物的透明RRAM及其制备方法
专利号：201310478675
专利名称：一种三维交叉阵列透明阻变存储器及其制备方法
专利号：201510064981
专利名称：一种锗纳米线结构的制作方法
专利号：201310741573.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-11
专利名称：一种化合物半导体器件的去嵌入方法
专利号：201510050561.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-10
专利名称：一种半导体器件参数提取装置及方法
专利号：201510049824
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-09
专利名称：在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法
专利号：PCT/CN2014/075402
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-08
专利名称：在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法
专利号：201310721825.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-07
专利名称：一种纳米线衬底结构及其制备方法
专利号：201310670650.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-06
