专利

专利名称：一种高介电常数氧化物的制备方法
专利号：201310666486.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-05
专利名称：一种氧化物介质的原子层沉积方法
专利号：201310667554.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-04
专利名称：一种Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法
专利号：201310610979.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-03
专利名称：一种生长高介电常数电介质叠层的制备方法
专利号：201310217735.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-02
专利名称：一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管
专利号：201210545473.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-01
专利名称：GaAs垂直结构MOS器件及其制作方法
专利号：201210546329.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-31
专利名称：一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法
专利号：201210546598.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-30
专利名称：一种高迁移率III-V族半导体MOS场效应晶体管
专利号：201210482729.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-29
专利名称：一种高迁移率CMOS集成单元
专利号：201210480455.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-28
专利名称：一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法
专利号：201210495667.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-27
专利名称：一种在III-V化合物半导体衬底制作超浅结的方法
专利号：201210495451.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-26
专利名称：一种锗基MOSFET栅介质的制备方法
专利号：201210482786.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-25
专利名称：一种低温晶圆键合方法
专利号：201210491190.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-24
专利名称：一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法
专利号：2012104191141.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-23
专利名称：一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法
专利号：201210491259.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-22
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