专利
专利名称：一种控制锗表面形貌的方法
专利号：201210490731.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-21
专利名称：一种锗量子点结构的制造方法
专利号：201210292229.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-20
专利名称：一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法
专利号：201210258454.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-19
专利名称：一种III-V族半导体镍金属化制造方法
专利号：201110429393.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-18
专利名称：一种绝缘体上锗衬底的减薄方法
专利号：201110399350.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-17
专利名称：一种控制锗纳米微结构尺寸的方法
专利号：201110399431.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-16
专利名称：源漏自对准的MOS器件及其制作方法
专利号：201110386816.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-15
专利名称：一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件
专利号：201110387996.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-14
专利名称：一种制作结晶态高K栅介质材料的方法
专利号：201110383802.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-13
专利名称：一种硅基锗纳米结构衬底及其制备方法
专利号：201110236756.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-12
专利名称：MOS-HEMT器件及其制作方法
专利号：201110221372.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-11
专利名称：一种III-V族半导体MOS界面结构
专利号：201110138043.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-10
专利名称：一种硅基张应变衬底结构及其制备方法
专利号：201110124329.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-09
专利名称：一种高迁移率衬底结构及其制备方法
专利号：201010578522.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-08
专利名称：一种高迁移率CMOS集成单元
专利号：201010578514.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-07