专利
专利名称：Method of Manufacturing Si-based High-mobiity Grou
专利号：8,987,141
专利权人：Institute of Semiconductors, CAS
时间：2014-08-06
专利名称：一种硅基微腔激光器的制作方法
专利号：201310510520.2
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-08-05
专利名称：一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法
专利号：201410077528.9
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-08-04
专利名称：一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法
专利号：201310306847.8
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-08-03
专利名称：一种硅基高迁移率III-V/Ge沟道的CMOS制备方法
专利号：201310306968.2
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-08-02
专利名称：高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
专利号：201310176608.5
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-08-01
专利名称：硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法
专利号：201310176286.4
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-31
专利名称：一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
专利号：201310069787.2
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-30
专利名称：一种硅基III-V族nMOS的制作方法
专利号：201310068781.3
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-29
专利名称：一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法
专利号：201310068749.5
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-28
专利名称：基于ART结构的Si基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件
专利号：201310060711.3
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-27
专利名称：基于Si基上制备InP基高电子迁移场效应率晶体管的方法
专利号：201310061105.3
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-26
专利名称：在硅上集成HEMT器件的方法
专利号：201310023631.0
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-25
专利名称：基于Si基上制备InP基nMOS器件的方法
专利号：201310023622.1
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-24
专利名称：ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
专利号：201310019627.7
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-23
