专利
专利名称：基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法
专利号：201210057292.3
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-22
专利名称：锗基赝砷化镓衬底的制备
专利号：201210057303.8
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-21
专利名称：制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法
专利号：201210033017.8
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-20
专利名称：制备硅基砷化镓材料的方法
专利号：201210032751.2
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-19
专利名称：采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法
专利号：201210032754.6
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-18
专利名称：应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
专利号：201110206037.6
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-17
专利名称：倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
专利号：201110206340.6
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-16
专利名称：运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
专利号：201110206038.0
专利权人：中国科学院半导体研究所
时间：2014-07-15
专利名称：利用锌种子层在石墨烯上生长高k介质的方法
专利号：201210195515.2
专利名称：利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上生长高k介质的方法
专利号：201210195407.5
专利名称：一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法
专利号：ZL201010281971.X
专利名称：一种对石墨烯进行硫掺杂的方法
专利号：PCTWX140110
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-07-11
专利名称：一种对石墨烯进行硫掺杂的方法
专利号：201310080785.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-07-10
专利名称：一种利用化学气相沉积法制备硫掺杂石墨烯的方法
专利号：201310080808.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-07-09
专利名称：一种将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上的方法
专利号：201310015049X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-07-08
