专利

专利名称：一种将石墨烯转移到柔性衬底的方法
专利号：201310015048.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-07-07
专利名称：一种利用衬底上沟槽对石墨烯进行图形化的方法
专利号：ZL201110218695.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-07-06
专利名称：一种用于制作纳米器件的自对准盖板及其制作、使用方法
专利号：201110128172.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-07-05
专利名称：一种基于电镀铜衬底制备大面积石墨烯薄膜的方法
专利号：ZL201110092763.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-07-04
专利名称：Semiconductor device and method for manufacturing
专利号：PCT/CN2012/000402
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-07-03
专利名称：石墨烯器件
专利号：201210050646.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-07-02
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201310282319.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-07-01
专利名称：模数转换器
专利号：201210050674.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-30
专利名称：石墨烯器件及其制造方法
专利号：201110360220.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-29
专利名称：石墨烯测序器件及其制造方法
专利号：201210421626.00
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-28
专利名称：互连结构及其制造方法
专利号：2013100170934.00
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-27
专利名称：侧墙工艺制备石墨烯纳米带
专利号：201310031147.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-26
专利名称：自限制生长石墨烯纳米带
专利号：201310031150.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-25
专利名称：微纳尺度静电力开关及其制造方法
专利号：201310035425.10
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-24
专利名称：降低二维晶体材料接触电阻的方法
专利号：201310254601.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-23
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