专利
专利名称：一种采用自对准工艺实现石墨烯场效应晶体管器件的制作方法
专利号：201410535591.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-22
专利名称：通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法
专利号：201410535650.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-21
专利名称：无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法
专利号：201410763616.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-20
专利名称：可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法
专利号：201410763701.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-19
专利名称：一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法
专利号：201410764087.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-18
专利名称：一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法
专利号：201410779092.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-17
专利名称：一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法
专利号：201410777633.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-16
专利名称：一种自对准石墨烯场效应管及其制备方法
专利号：201310226455.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-15
专利名称：一种石墨烯导电薄膜的制备方法
专利号：201310263553.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-14
专利名称：一种石墨烯导电薄膜的制备方法
专利号：201310311171.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-13
专利名称：一种碳基场效应晶体管及其制备方法
专利号：201310247317.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-12
专利名称：一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
专利号：201310228701.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-11
专利名称：一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法
专利号：201310228422.x
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-10
专利名称：一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法
专利号：201210093144.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-09
专利名称：一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法
专利号：201310414732.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-08
