专利
专利名称：一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
专利号：201310414069.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-07
专利名称：一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法
专利号：201310414191.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-06
专利名称：一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构
专利号：201310226207.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-05
专利名称：一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法
专利号：201210093144.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-04
专利名称：一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法
专利号：201210075810.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-03
专利名称：一种碳基场效应晶体管及其制备方法
专利号：201110002672.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-02
专利名称：一种石墨烯薄膜的衬底转移方法
专利号：201110002388.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-06-01
专利名称：一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法
专利号：201110130036.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-05-31
专利名称：一种石墨烯纳米孔洞的制备方法
专利号：ZL201310143368.9
专利名称：一种碳纳米复合材料的制备方法
专利号：ZL201310126385.1
专利名称：一种探测二维纳米结构材料薄膜表面缺陷的方法
专利号：ZL201110378195.X
专利名称：石墨烯场效应晶体管及其制备方法
专利号：ZL201210113271.9
专利名称：一种碳基纳米材料晶体管的制备方法
专利号：ZL201110308483.8
专利名称：一种石墨烯晶体管的制备方法
专利号：ZL201110308804.4
专利名称：一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法
专利号：CN201210461745.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-05-24
