专利
专利名称：一种石墨烯场效应器件制备方法
专利号：CN201210425691.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-05-23
专利名称：一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法
专利号：CN201110206608.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-05-22
专利名称：一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法
专利号：CN201210007583.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-05-21
专利名称：一种逐层减薄石墨烯的方法
专利号：CN201110191536.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-05-20
专利名称：一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用
专利号：CN201110247262.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-05-19
专利名称：基于Ni膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法
专利号：201310078910.7
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-18
专利名称：基于Cu膜退火和氯气反应的大面积石墨烯制备方法
专利号：201310078984.0
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-17
专利名称：基于Ni膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法
专利号：201310078982.1
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-16
专利名称：基于Ni膜退火和氯气反应的大面积石墨烯制备方法
专利号：201310078983.6
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-15
专利名称：基于Cu膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法
专利号：201310078828.4
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-14
专利名称：基于Cu膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法
专利号：201310078981.7
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-13
专利名称：基于Cu膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法
专利号：201310078857.0
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-12
专利名称：基于Ni膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法
专利号：201310078830.1
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-11
专利名称：基于Cu膜退火的Si衬底上侧栅石墨烯场效应管制作方法
专利号：201310039692.6
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-10
专利名称：基于Cu膜退火的SiC衬底上侧栅石墨烯晶体管制作方法
专利号：201310039657.4
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-09
