专利
专利名称：基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法
专利号：201310039823.0
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-08
专利名称：基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法
专利号：201310039656.X
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-07
专利名称：基于Ni膜退火的Si衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法
专利号：201310039693.0
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-06
专利名称：基于Ni膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法
专利号：201310039822.6
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-05
专利名称：基于SiC与氯气反应的Ni膜退火侧栅石墨烯晶体管制备方法
专利号：201310039821.1
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-04
专利名称：基于Cu膜退火的SiC与氯气反应侧栅石墨烯晶体管制备方法
专利号：201210484535.1
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-03
专利名称：基于SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法
专利号：201210484535.1
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-02
专利名称：基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法
专利号：201210480662.4
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-05-01
专利名称：基于SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法
专利号：201210484534.7
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-30
专利名称：基于Cu膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法
专利号：201210480633.8
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-29
专利名称：基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法
专利号：201210484532.8
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-28
专利名称：基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法
专利号：201210480631.9
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-27
专利名称：基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法
专利号：201210480856.4
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-26
专利名称：基于3C-SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法
专利号：201210483927.6
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-25
专利名称：基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法
专利号：201210176636.2
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-24
