专利
专利名称：基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法
专利号：201210176437.1
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-23
专利名称：基于C注入的Cu膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法
专利号：201210176499.2
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-22
专利名称：基于C注入的Cu膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法
专利号：201210176942.6
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-21
专利名称：以SiC为基底的结构化石墨烯制备方法
专利号：201210159246.4
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-20
专利名称：基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法
专利号：201210159170.5
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-19
专利名称：基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法
专利号：201210160190.4
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-18
专利名称：在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法
专利号：201210158547.5
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-17
专利名称：基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法
专利号：201210158388.9
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-16
专利名称：基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法
专利号：201210158541.8
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-15
专利名称：基于Cl2反应的结构化石墨烯制备方法
专利号：201210158553.0
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-14
专利名称：基于Ni膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法
专利号：201210162385.2
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-13
专利名称：基于Cu膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法
专利号：201210159169.2
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-12
专利名称：基于Cl2反应的 SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法
专利号：201210162173.4
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-11
专利名称：基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法
专利号：201210162383.3
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-10
专利名称：基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法
专利号：201210162384.8
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-09
