专利
专利名称：向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
专利号：201210152316.3
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-08
专利名称：向3C-SiC注入Si的Ni膜退火石墨烯纳米带制备方法
专利号：201210152317.8
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-07
专利名称：基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法
专利号：201210151879.0
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-06
专利名称：基于Cu膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法
专利号：201210151563.1
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-05
专利名称：以SiC为基底的石墨烯制备方法
专利号：201210103184.5
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-04
专利名称：在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法
专利号：201210007685.3
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-03
专利名称：基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法
专利号：201210009959.2
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-02
专利名称：基于Ni膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法
专利号：201210007709.5
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-04-01
专利名称：基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法
专利号：201210000365.5
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-31
专利名称：基于Ni膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法
专利号：201210000579.0
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-30
专利名称：基于Cu膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法
专利号：201210009503.6
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-29
专利名称：基于Cu膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法
专利号：201210009957.3
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-28
专利名称：基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法
专利号：201210000366.X
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-27
专利名称：基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法
专利号：201210009958.8
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-26
专利名称：基于Cl2反应的大面积石墨烯制备方法
专利号：201210000361.7
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-25
