专利
专利名称：结壳热阻测试方法
专利号：201310054317.9
专利权人：中国科学院电工研究所
时间：2013-02-12
专利名称：一种 IGBT 模块的覆铜陶瓷基板结构
专利号：201210301567.3
专利权人：中国科学院电工研究所
时间：2013-02-11
专利名称：一种双面冷却的功率半导体模块
专利号：201210153042.X
专利权人：中国科学院电工研究所
时间：2013-02-10
专利名称：一种 IGBT 驱动电路
专利号：201210340272.7
专利权人：中国科学院电工研究所
时间：2013-02-09
专利名称：电力电子器件的加速寿命测试电路及测试方法
专利号：2012101351.1
专利权人：中国科学院电工研究所
时间：2013-02-08
专利名称：一种带FS层的PT型功率器件的制作方法
专利号：201210543954.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-02-07
专利名称：一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法
专利号：201210551729.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-02-06
专利名称：一种穿通型IGBT及其制作方法
专利号：201210510311.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-02-05
专利名称：IGBT及其制作方法
专利号：201210509411.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-02-04
专利名称：一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
专利号：201310058786.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-02-03
专利名称：一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法
专利号：201210345357.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-02-02
专利名称：一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法
专利号：201210345386.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-02-01
专利名称：一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
专利号：201210345433.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-31
专利名称：一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图
专利号：201210345372.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-30
专利名称：一种高压超结终端结构
专利号：201210345440.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-29