专利
专利名称：一种半导体基片的制造工艺
专利号：201210458161.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-15
专利名称：一种硅通孔（TSV, through silicon via）阵列结构的射频模型方法
专利号：201210362613.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-25
专利名称：一种降低锗硅HBT晶体管器件结漏电的设计
专利号：201210382772.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-10
专利名称：栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法
专利号：201210268972.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-30
专利名称：一种用于静电保护的触发电路结构
专利号：201210291056.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-16
专利名称：锗硅异质结双极型三极管期间的制造方法
专利号：201210315732.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-30
专利名称：锗硅工艺中提高寄生的横向PNP管直流放大的器件设计和工艺方法
专利号：201210487432.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-26
专利名称：物理气相沉积成膜设备工艺腔套件
专利号：201220501259.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-09-28
专利名称：一种薄硅片的背面图形化的工艺方法
专利号：201210437551.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-06
专利名称：一种在低电阻率衬底上的变压器的衬底涡流效应的模型方法
专利号：201210385566.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-12
专利名称：一种利用二端口网络分析仪测试四端口变压器的测试结构及模型提取方法
专利号：201210521426.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-07
专利名称：一种新型用于提高CMOS射频功率放大器线性度的电路设计
专利号：201210405564.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-22
专利名称：一种polysicide 工艺中降低HR poly contact电阻的制作方法
专利号：201210415064.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-10-26
专利名称：一种可描述高低温失配特性的晶体管模型
专利号：201210491750.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-27
专利名称：一种金属-氧化物-金属电容结构
专利号：201210488405.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-26
