专利
专利名称：超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及制备方法
专利号：201110440342.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-23
专利名称：一种实现BiCMOS器件中扩展基区结构的方法
专利号：201110374962.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-22
专利名称：半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法
专利号：201110389018.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-30
专利名称：超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及制备方法
专利号：201110440342.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-23
专利名称：锗硅HBT单管结构、其制造方法及锗硅HBT多指结构
专利号：201110366756.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-18
专利名称：功率晶体管的制作方法
专利号：201110242384.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-23
专利名称：一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法
专利号：201110372027.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-21
专利名称：一种BICMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法
专利号：201110355686.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-11
专利名称：一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
专利号：201110377060.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制作方法
专利号：201110376860.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：一种N-I-P型PIN器件及其制造方法
专利号：201110422749.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-16
专利名称：锗硅HBT器件及其制造方法
专利号：201110349921.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-08
专利名称：PIN二极管及其制造方法
专利号：201110431871.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-21
专利名称：硅片通孔等效电路模型及模型参数提取方法
专利号：201110383514.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-25
专利名称：锗硅异质结双极晶体管及制造方法
专利号：201110326327.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
