专利

专利名称：锗硅BICMOS工艺中垂直寄生型PNP三极管及制造方法
专利号：201110326336.3 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法
专利号：201110409888.0 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-09
专利名称：寄生横向型PNP器件及制造方法
专利号：201110363181.0 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-16
专利名称：锗硅功率HBT、其制造方法及锗硅功率HBT多指器件
专利号：201110355672.0 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-11
专利名称：锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件及制造方法
专利号：201110256104.5 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：三极管开口的制备方法
专利号：201110280832.X 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-20
专利名称：锗硅异质结双极晶体管及制造方法
专利号：201110353252.9 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-09
专利名称：改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法
专利号：201110328071.0 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-25
专利名称：深亚微米半导体器件的工艺集成方法
专利号：201110283488.X 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-22
专利名称：一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法
专利号：201110227538.2 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-09
专利名称：自适应可变带宽锁相环
专利号：201110266339.2 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-08
专利名称：锗硅异质结双极型三极管功率器件及制造方法
专利号：201110230795.1 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-12
专利名称：精确控制EB结位置和EB结反向击穿电压的结构
专利号：201110310522.8 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-13
专利名称：BiCMOS工艺中的寄生PIN器件及制造方法
专利号：201110259144.5 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-02
专利名称：对称型叠层电感结构及其绕线方法
专利号：201110330323.3 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-26
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