专利
专利名称：一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法
专利号：201110402830.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-07
专利名称：在CMOS源漏掺杂时进行多晶硅栅注入的方法
专利号：201110282836.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-22
专利名称：一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构及其制作方法
专利号：201110311540.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-14
专利名称：一种采用SiGe HBT 工艺的MOS可变电容及其制作方法
专利号：201110311539.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-14
专利名称：与锗硅异质结NPN三级管集成的PNP三极管
专利号：201110326307.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法
专利号：201110317240.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-18
专利名称：双极晶体管器件及制造方法
专利号：201110326334.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：锗硅异质结双极晶体管及制造方法
专利号：201110376884.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：具有内侧墙的浅槽填充方法
专利号：201110398277.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-05
专利名称：在高压NPN三极管中集成中压NPN三极管的方法
专利号：201110415340.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-13
专利名称：穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法
专利号：201110317237.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-18
专利名称：BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及其制造方法
专利号：201110326338.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：一种电流镜像电路
专利号：201110276291.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-16
专利名称：锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及制造方法
专利号：201110388960.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-30
专利名称：锗硅异质结双极型三极管功率器件及制造方法
专利号：201110230795.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-12
