专利

专利名称：自对准锗硅异质结双极型三极管及其制作方法
专利号：201110231124.7 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-12
专利名称：有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法及器件
专利号：201110254207.8 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-31
专利名称：用湿法可显影填充材料实现高台阶表面图形暴光的方法
专利号：201110000000.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-23
专利名称：低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法
专利号：201110240916.0 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-22
专利名称：硅通孔填充方法
专利号：201110226264.5 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-08
专利名称：硅通孔的制作方法
专利号：201110225738.4 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-25
专利名称：锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法
专利号：201110242329.5 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-23
专利名称：锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法
专利号：201110243845.X 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-24
专利名称：射频电感的电路模型
专利号：201110243885.4 
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-24
专利名称：一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构及其制作方法
专利号：201110172061.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-23
专利名称：硅通孔填充方法
专利号：201110152715.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-08
专利名称：栅极制作方法
专利号：201110152761.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-05-13
专利名称：射频收发开关电路
专利号：201110123292.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-05-13
专利名称：锗硅工艺中监控发射极和基极因接触孔而串通的测试结构
专利号：201110077611.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-30
专利名称：基于NMOS的OTP器件的制造方法
专利号：201110076611.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-29
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