专利
专利名称：一种用于低压模拟工艺腔室内压力测量的装置及方法
专利号：201410742735.1
专利名称：一种电极间距可调的离子反应腔室及电极间距调整装置
专利号：201410217144.2
专利权人：中国地质大学（北京）
时间：2014-04-09
专利名称：离子体反应腔室电极间隙调整装置及离子体反应腔室
专利号：201410219012.3
专利权人：中国地质大学（北京）
时间：2014-05-22
专利名称：一种供气均匀的等离子体刻蚀装置及其中的气体供应装置
专利号：201210155511.1
专利权人：中国地质大学（北京）
时间：2012-05-18
专利名称：一种配置取放装置和调节工件的位置的半导体刻蚀装置
专利号：201210155520.0
专利权人：中国地质大学（北京）
时间：2012-05-18
专利名称：一种可快速更换匀气方式的真空腔室
专利号：201210155362.9
专利权人：中国地质大学（北京）
时间：2012-05-18
专利名称：文本检索方法及系统
专利号：201410152090.6
专利名称：在线捕捉设计意图的草图语义识别方法及系统
专利号：201310714728.6
专利名称：用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法
专利号：201410029395.8
专利名称：一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法
专利号：201410031124.6
专利名称：一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法
专利号：201410031142.4
专利名称：一种用于调节温度和功率空间分布的梯度阻抗模块
专利号：201410030834.7
专利名称：一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头
专利号：201410031238.0
专利名称：等离子体约束装置及具有其的等离子体处理装置
专利号：201410065214.7
专利名称：用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置
专利号：201410053269.6
