专利

专利名称：基于表面等离子体的硅基光源
专利号：201610187620X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2016-03-29
专利名称：锗银复合材料及其在光电器件中的应用
专利号：2016102166782.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2016-04-08
专利名称：阻挡介质层的刻蚀方法
专利号：201610250432.7
专利权人：华力微电子
时间：2016-04-21
专利名称：一种优化 OPC 验证的方法
专利号：201610421103.4
专利权人：华力微电子
时间：2016-06-14
专利名称：一种MES数据的验证方法及系统
专利号：201610704614.7
专利权人：华力微电子
时间：2016-08-22
专利名称：一种暗场缺陷检测设备自对准工艺窗口的校正方法
专利号：201610357127.8
专利权人：华力微电子
时间：2016-05-25
专利名称：一种量测工序的智能抽样方法极系统
专利号：201610498899.3
专利权人：华力微电子
时间：2016-06-30
专利名称：一种高应力金属前介质层的制备方法
专利号：201610498382.4
专利权人：华力微电子
时间：2016-06-30
专利名称：提高CMOS图像传感器像素的方法及系统
专利号：201610498336.4
专利权人：华力微电子
时间：2016-06-30
专利名称：工艺腔体氧气浓度检测系统以及工艺腔体氧气浓度检测方法
专利号：201610355245.5
专利权人：华力微电子
时间：2016-05-25
专利名称：调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法
专利号：201610498878.1
专利权人：华力微电子
时间：2016-06-30
专利名称：一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法
专利号：201610353584.X
专利权人：华力微电子
时间：2016-05-25
专利名称：闪存结构
专利号：201610107875.0
专利权人：华力微电子
时间：2016-02-26
专利名称：降低 CMOS 图像传感器的无金属硅化物区域接触电阻的方法
专利号：201610107865.7
专利权人：华力微电子
时间：2016-02-26
专利名称：改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法及结构
专利号：201610107730.0
专利权人：华力微电子
时间：2016-02-26
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