专利
专利名称：一种体产生负氢离子机制的等离子体腔室
专利号：201410666230.1
专利权人：大连理工大学
时间：2014-11-20
专利名称：基于水解反应气象均匀沉积TiO2薄膜的方法
专利号：201310415632.X
专利权人：大连理工大学
时间：2013-09-13
专利名称：合成完全晶化纳米粉体的大气压滑弧放电等离子体反应器
专利号：201310331245.8
专利权人：大连理工大学
时间：2013-07-31
专利名称：一种射频等离子体反应室
专利号：201310521255.8
专利权人：大连理工大学
时间：2013-10-30
专利名称：一种等离子体促进的氮氧化物存储还原脱除方法
专利号：201310019297.1
专利权人：大连理工大学
时间：2013-01-18
专利名称：数据采集卡的等效采样方法
专利号：201310096996.6
专利权人：大连理工大学
时间：2013-03-25
专利名称：一种射频放电等离子体诊断装置
专利号：201110003263.4
专利权人：大连理工大学
时间：2011-01-08
专利名称：CHEMICAL MECHANICAL POLISHING DEVICE AND POLISHING ELEMENT
专利号：13/184,907
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-07-18
专利名称：一种导电插塞的形成方法
专利号：201110044681.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-02-22
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110201413.2
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2011-07-19
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110201271.X
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2011-07-19
专利名称：Semiconductor device and manufacturing method thereof
专利号：13/351,139
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2012-01-16
专利名称：包括空气间隔的半导体器件及其制造方法
专利号：201110109621.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-04-28
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOF MANUFACTURING THE SAME
专利号：13/226,374
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-09-06
专利名称：一种MOSFET制造方法
专利号：201110039626.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-02-17
