专利

专利名称：一种浅沟槽的形成方法
专利号：201210647706.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-12-04
专利名称：极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法
专利号：201310315299.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-07-24
专利名称：EUVL LIGHT SOURCE SYSTEM AND METHOD
专利号：14/333,268
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-16
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201310315128.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-07-24
专利名称：一种制作FinFET半导体器件的方法
专利号：201310335581.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-08-02
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201310315306.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-07-24
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201310398728.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-09-04
专利名称：三重图形的形成方法
专利号：201310398705.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-09-04
专利名称：TRIPLE PATTERNING METHOD
专利号：14/188,945
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-02-25
专利名称：应用自对准双构图技术制作半导体器件的方法
专利号：201310567557.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-11-14
专利名称：化学机械抛光的方法
专利号：201310716928.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-12-20
专利名称：化学机械研磨方法
专利号：201310504885.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-10-23
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201310588957.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-11-19
专利名称：晶体管及其制造方法
专利号：201310738997.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-12-27
专利名称：一种硅纳米线的制备方法
专利号：201410187278.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-06
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